FL 9BW
長曝光制冷CMOS相機(jī)
- 15.96 mm (1")
- 3000 (H) × 3000 (V)
- 3.76 μm x 3.76 μm
- < 0.0005 e-/p/s
- -25℃ @ 22℃
詢 價(jià)
產(chǎn)品介紹
FL 9BW 是鑫圖針對(duì)長曝光應(yīng)用開發(fā)的新一代深度制冷CMOS相機(jī)。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技術(shù)和鑫圖先進(jìn)制冷密封工藝、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造，不僅長曝光關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD的水平，還同時(shí)具有現(xiàn)代CMOS高靈敏度、高速、高動(dòng)態(tài)等性能特征，可以完全替代制冷CCD長曝光應(yīng)用。
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<0.0005 e-/p/s暗電流可替代冷CCD長曝光應(yīng)用
FL 9BW暗電流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可達(dá)-25℃，關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD相當(dāng)?shù)乃健Ｔ趡10分鐘長曝光的條件下，F(xiàn)L 9BW仍能獲取高信噪比(SNR)的圖像，且在正常曝光時(shí)間內(nèi) (60分鐘)，信噪比都優(yōu)于695 CCD。
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背景均一定量分析更精準(zhǔn)
FL 9BW同時(shí)集成了索尼芯片優(yōu)異的輝光抑制能力和鑫圖先進(jìn)圖像降噪處理技術(shù)，基本杜絕了邊角亮光、壞點(diǎn)像素等不良制程因素對(duì)正常信號(hào)的干擾，成像背景均一，更適合定量分析應(yīng)用。
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SONY 背照式科學(xué)級(jí)芯片綜合成像性能優(yōu)越
FL 9BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級(jí)CMOS芯片，不僅長曝光性能和CCD相當(dāng)，峰值量子效率高達(dá)92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力碾壓CCD，動(dòng)態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上，綜合成像性能十分優(yōu)越。
技術(shù)參數(shù) >
- 型號(hào): FL 9BW
- 芯片類型: BSI CMOS
- 彩色 / 黑白: 黑白
- 對(duì)角線尺寸: 15.96 mm (1")
- 有效面積: 11.28 mm × 11.28 mm
- 像素大小: 3.76 μm × 3.76 μm
- 分辨率: 3000 x 3000
- 峰值量子效率: 92 % @ 540 nm
- 暗電流: < 0.0005 e-/p/s
- 讀出噪聲: 最小值：1.0 e- @ Gain 1；
- 位深: 14 bit, 16 bit
- 全分辨率幀率: 最大值：19 fps @ 9BW
- 快門類型: 卷簾
- 制冷方式: 風(fēng)冷
- 觸發(fā)模式: 硬件觸發(fā)，軟件觸發(fā)
- 觸發(fā)輸出: 支持
- 數(shù)據(jù)接口: USB 3.0
- 光學(xué)接口: C-Mount，支持定制
- 備注: 如需了解更多技術(shù)參數(shù)信息，請(qǐng)下載產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書查看
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應(yīng)用方向 >
下載 >
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軟件 - Mosaic 3.1.1.9
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FL 9BW 結(jié)構(gòu)圖紙
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FL 9BW 技術(shù)規(guī)格書
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FL 9BW 產(chǎn)品手冊(cè)
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