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半導(dǎo)體檢測(cè)
從微米到納米，挑戰(zhàn)半導(dǎo)體工藝的極限精度
半導(dǎo)體檢測(cè)是集成電路制造過程中保證良率和可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。從晶圓材料到芯片封裝，每一步都需要精準(zhǔn)的光學(xué)檢測(cè)與表征。科學(xué)相機(jī)作為核心探測(cè)器，其分辨率、靈敏度、速度和可靠性直接決定了微米/納米級(jí)缺陷的檢出率和檢測(cè)設(shè)備的性能穩(wěn)定性。針對(duì)不同檢測(cè)場(chǎng)景，我們提供從大靶面高速掃描到高速TDI掃描的全系列相機(jī)解決方案，廣泛應(yīng)用于晶圓缺陷檢測(cè)、光電發(fā)光測(cè)試、晶片尺寸計(jì)量和封裝質(zhì)量控制等領(lǐng)域。
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Gemini 8KTDI 8K 背照式TDI-sCMOS相機(jī)
光譜范圍：180 nm - 1100 nm典型QE：63.9%@266 nm
最大行頻：1 MHz@8 / 10 bit
TDI 等級(jí)：256 級(jí)
數(shù)據(jù)接口：100G / 40G?CoF制冷方式：：水冷/風(fēng)冷
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Dhyana 9KTDI 9K 背照式TDI-sCMOS相機(jī)
光譜范圍：180 nm - 1100 nm典型QE：38%@266 nm
最大行頻：510 KHz?@8 bit
TDI 等級(jí)：256 級(jí)
數(shù)據(jù)接口：CoaxPress 2.0制冷方式：：水冷/風(fēng)冷
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Dhyana 9KTDI Pro 9K 背照式TDI-sCMOS相機(jī)
光譜范圍：180 nm - 1100 nm典型QE：50%@266 nm
最大行頻：600KHz?@8 bit /10 bit
TDI 等級(jí)：256 級(jí)
數(shù)據(jù)接口：CoaxPress 2.0制冷方式：：水冷/風(fēng)冷
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Libra UV 紫外全局快門CMOS相機(jī)
光譜范圍：200-1000 nm QE值：48% @365 nm，56%@500 nm 讀出噪聲：1.5~3.9 e-
成像靶面：11 mm
像元尺寸：2.74 μm?
數(shù)據(jù)接口：10 GigE /外觸發(fā) 查看更多 -
Aries 系列 單光子級(jí)sCMOS相機(jī)
光譜范圍：200 -1100nm 峰值QE ：95% 讀出噪聲：<1.0 e- 成像靶面：16~29.4mm 像元尺寸：6.5~16?μm?
數(shù)據(jù)接口：GigE? 查看更多 -
Dhyana X 系列 軟X射線/極紫外sCMOS相機(jī)
光譜范圍：1.24 ~15.5nm (80 -1000 eV) 峰值QE ：~100% 讀出噪聲：<3.0 e- 成像靶面：18.8~8mm 像元尺寸：6.5~11?μm?
數(shù)據(jù)接口：GigE? 查看更多 -
Leo系列 高通量sCMOS相機(jī)
光譜范圍：200 -1100nm峰值QE：83% QE讀出噪聲：2.0 e -
成像靶面：> 30 mm像元尺寸：3.2~5.5 μm數(shù)據(jù)接口：100 G /40G?CoF查看更多
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